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硅片的拋光處理
為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面，必須進行拋光，以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機械拋光、化學拋光、電子束拋光、離子束拋光，較普遍采用的是化學機械拋光�；瘜W機械拋光是化學腐蝕和機械磨削同時進行，分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細的二氧化硅粉、氫氧化鈉（或有機堿）和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中，氫氧化鈉與硅表面反應生成硅酸鈉，通過與二氧化硅膠體的磨削，硅酸鈉進入拋光液，兩個過程不停頓地同時進行而達到拋光的目的。根據不同要求，可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光（粗拋光、中間拋光和精拋光）。為滿足超大規模集成電路對表面質量和平整度的要求，已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝。
